到1986年，日国半导体企业在全球dra的市占率达到了80，超越了美国。

这一时期的日本产业发展主要靠出口，19701985年的15年间，日本该产业的产值增加了5倍，出口增加了11倍。

祸兮福所倚，福兮祸所伏。

广场协议之后，日国遭受米国重创，继而又因为自己犯下了致命错误，导致该行业崩塌。

1980年代后期，日国的dra市场份额开始大幅衰退，根本原因是dra市场结构发生巨变，频繁发生的毛衣摩擦也一定程度上阻碍了行业发展。

这个项目就是日国通商产业省发起成立的vsi共同研究所，“打造未来计算机必不可少的大规模集成电路”这一口号也显示了日国的巨大野心。

日过通产省将市场中的各大竞争对手的研发人员集结起来，总计投入700亿日元，政府出资290亿日元。

70年代对美国等外部的关键制程设备和生产原料依赖率达到80，而到1980年代初，日过半导体制造装置国产化率达到了70以上，为日后超越美国成为半导体业霸主奠定了基础。

由此日过半导体业开启了“黄金时代”，全球市场份额不断上升，在世界范围内开始具有举足轻重的地位。

以1980年投入市场的64kdra为例，1981年，日立市场占有率全球第一，占40的份额；第二位是富士通，占20，nec占9。之后，nec主导了256k时代，东芝主导了1b时代。

三百六十四章特别关注汇丰 (第3/3页)

技术转让等限制。

当时日国内半导体制造设备的国产化比率只有20，美国的反制措施让日国半导体产业意识到自身的被动。其一，ib在1970年宣布将在其新推出的大型计算机中使用半导体存储器，半导体存储器开始替代磁芯，在半导体存储器中占据重要位置的dra内存芯片，成为潜力无限的大市场。一夜之间行业游戏规则大变。其二，美国拒绝向日国ic集成电路，使日电子计算器在米国的市场份额从繁盛时期的80跌至了1974年的27。

由此，日国开始以“举国之力”来进行自主研发。

一个官产学研发项目，彻底改变了日国半导体产业的地位。

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